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SI-F80R 系列使用近红外 SLD,可穿过硅、砷化镓、碳化硅、磷化铟、非晶硅及其它半导体。即使晶片已封上 BG(背磨)胶带,也可精确测出晶片厚度。
通过减少小光点直径和光点内的表面相差,可有效减发少晶片表面图案的变化和测量警报的发生次数。
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