分光干涉式晶片厚度计

特性

采用近红外 SLD，即使已贴附 BG 带也可测量晶片本身的厚度。即使晶片表面存在由于图案而产生的显著差异，也可实现准确的生产线上测量。

• 即使已贴附背面研磨带也可测量晶片厚度
• 将图案的影响降到最小
• 可在生产线上进行测量
• 自动映射整个晶片的厚度分布

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  精确的只测量晶片厚度

  SI-F80R 系列使用近红外 SLD，可穿过硅、砷化镓、碳化硅、磷化铟、非晶硅及其它半导体。

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  几乎不受晶片图案的影响

  通过减小光点直径和光点内的表面相差，可最大限度的减少晶片表面图案的变化和测量警报的发生次数。

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  之前的所有问题迎刃而解

  可解决传统晶片测量方法所存在的问题的测量装置。

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  测量原理

  以简单易懂的方式解释达到超高精度的测量原理。

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